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据韩媒TheElec爆料，三星正在测试由东京电子（TEL）提供的气体团簇光束（GCB）拓荒，以期纠正其极紫外（EUV）光刻工艺。东京电子方面阐明西瓜影音在线，公司正在与客户正一同评估该拓荒性能，以决定是否将其用于晶圆代工场。

公开辛勤清晰，东京电子是半导体制造拓荒的主要供应商，主营半导体的蚀刻、千里积和清洁递次，其客户包括先进逻辑及存储芯片制造商，如台积电、英特尔、三星等。

这次纳入测试评估的拓荒名为Acrevia，于本年7月推出，其诈欺定向气体团簇光束在最好晶圆歪斜角度进行蚀刻，从而达成EUV光刻图案临界尺寸和神志的精确疏通。

这不仅能进步光刻图案的精度，还显赫裁减了晶圆名义毁伤的风险。东京电子示意，该拓荒看成一款图案塑形器用不错改善图案边际鄙俚度并减少立时光刻残障，从而进步良率。

三星方面瞻望，GCB拓荒的使用将有助于裁减先进节点的成本。事实上，GCB拓荒一朝进步晶圆良率西瓜影音在线，就能缩减光刻拓荒的无效使用次数，从而有助于延伸拓荒的使用寿命。三星对此也强调，这将减少EUV光刻技能惩处图案过程中的立时虚假，虚假越少也就意味着成本越低。

近些年，跟着工艺制程不断发展，EUV光刻拓荒成为各晶圆代工场商必争之地，不菲的成本背负也随之而来。本年5月，台积电高等副总裁张晓强在技能商酌会上指摘ASML的最新高数值孔径极紫外光刻机时就曾悔过说念：“这个价钱真实太高了。”

雪上加霜的是，为了陆续消弱芯片缠绵，芯片制造厂商常常使用多重图案化光刻技能，该边幅通过将复杂的单层图案拆分红多个简便图案，并在不同掩模上进行屡次曝光和蚀刻来达成最终所需图案。

问题随之产生，多重图案化的大鸿沟应用天然消弱了缠绵，但也引入了瞄准问题、叠层很是等技能残障风险，此外，多重图案化需要阅历屡次曝光和蚀刻轮回，制造历程大幅扩增，而每次特殊的曝光还需要特殊的掩模和更多光刻器用。要而论之，芯片的良率和产能愈发低下，而成本进一步加重。

在上述配景下，参半导体拓荒制造商掀翻一股降本增效的波涛，除了东京电子的AcreviaGCB拓荒除外，应用材料于客岁2月推出了功能访佛的CenturaSculpta系统，并供应给英特尔公司使用。

据那时报说念，该系统能为芯片制造商省俭如下成本：1）每月坐褥10万片晶圆的情况下可省俭约2.5亿好意思元的本钱成本；2）每片晶圆省俭50好意思元的制形成本；3）每片晶圆省俭15千瓦时以上的动力。

此外，本年2月，应用材料还推出一款新的电子束测量拓荒，专诚用于精确测量收受EUV和新兴的High-NAEUV光刻技能的半导体器件的要道尺寸。

关于这次东京电子GCB拓荒干涉测试评估，韩媒评价：“EUV图案化商场由应用材料公司主导，而东京电子的新拓荒对其组成了挑战。”

本文源自：科创板日报西瓜影音在线